产品名称:碲化铋BiTe拓扑绝缘体块状晶体
英文名称:Bismuth telluride BiTe crystal
CAS号:1304-82-1
货号:042801
晶体大小:5~10 mm(需要其他尺寸请联系客服)
材料性质:半导体材料
禁带宽度:0.3eV
晶体生长方式:CVT 化学气相输运
外观:黑色
储存条件:乙醇浸泡,避光避热,保质期为12个月,若保存时间过长,会发生降解,可能会影响其性能
晶体可选基底较多,其中SiO2/Si基底为直接沉积产品。其他基底例如:硅片,PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金属基底等是通过在SiO2/Si上生长后转移至客户所需基底。