产品名称：钪掺杂黑磷晶体

英文名称：Scandium doped black phosphorus

CAS号：无

货号：020501

晶体大小：5~10 mm（需要其他尺寸请联系客服）

掺杂比例：0.2%—1.6%

材料性质：半导体材料

禁带宽度：0.3eV

晶体生长方式：CVT 化学气相输运

外观：黑色

储存条件：乙醇浸泡，避光避热，保质期为12个月，若保存时间过长，会发生降解，可能会影响其性能

产品名称：钛掺杂黑磷晶体

英文名称：Titanium doped black phosphorus

CAS号：无

货号：020502

晶体大小：5~10 mm（需要其他尺寸请联系客服）

掺杂比例：0.2%—1.6%

材料性质：半导体材料

禁带宽度：0.3eV

晶体生长方式：CVT 化学气相输运

外观：黑色

储存条件：乙醇浸泡，避光避热，保质期为12个月，若保存时间过长，会发生降解，可能会影响其性能

产品名称：钒掺杂黑磷晶体

英文名称：Vanadium doped black phosphorus

CAS号：无

货号：020503

晶体大小：5~10 mm（需要其他尺寸请联系客服）

掺杂比例：0.2%—1.6%

材料性质：半导体材料

禁带宽度：0.3eV

晶体生长方式：CVT 化学气相输运

外观：黑色

储存条件：乙醇浸泡，避光避热，保质期为12个月，若保存时间过长，会发生降解，可能会影响其性能

产品名称：铬掺杂黑磷晶体

英文名称：Chromium doped black phosphorus

CAS号：无

货号：020504

晶体大小：5~10 mm（需要其他尺寸请联系客服）

掺杂比例：0.2%—1.6%

材料性质：半导体材料

禁带宽度：0.3eV

晶体生长方式：CVT 化学气相输运

外观：黑色

储存条件：乙醇浸泡，避光避热，保质期为12个月，若保存时间过长，会发生降解，可能会影响其性能

产品名称：锰掺杂黑磷晶体

英文名称：Manganese doped black phosphorus

CAS号：无

货号：020505

晶体大小：5~10 mm（需要其他尺寸请联系客服）

掺杂比例：0.2%—1.6%

材料性质：半导体材料

禁带宽度：0.3eV

晶体生长方式：CVT 化学气相输运

外观：黑色

储存条件：乙醇浸泡，避光避热，保质期为12个月，若保存时间过长，会发生降解，可能会影响其性能

产品名称：铁掺杂黑磷晶体

英文名称：Iron doped black phosphorus

CAS号：无

货号：020506

晶体大小：5~10 mm（需要其他尺寸请联系客服）

掺杂比例：0.2%—1.6%

材料性质：半导体材料

禁带宽度：0.3eV

晶体生长方式：CVT 化学气相输运

外观：黑色

储存条件：乙醇浸泡，避光避热，保质期为12个月，若保存时间过长，会发生降解，可能会影响其性能

产品名称：钴掺杂黑磷晶体

英文名称：Co-doped black phosphorus

CAS号：无

货号：020507

晶体大小：5~10 mm（需要其他尺寸请联系客服）

掺杂比例：0.2%—1.6%

材料性质：半导体材料

禁带宽度：0.3eV

晶体生长方式：CVT 化学气相输运

外观：黑色

储存条件：乙醇浸泡，避光避热，保质期为12个月，若保存时间过长，会发生降解，可能会影响其性能

产品名称：镍掺杂黑磷晶体

英文名称：Nickel doped black phosphorus

CAS号：无

货号：020508

晶体大小：5~10 mm（需要其他尺寸请联系客服）

掺杂比例：0.2%—1.6%

材料性质：半导体材料

禁带宽度：0.3eV

晶体生长方式：CVT 化学气相输运

外观：黑色

储存条件：乙醇浸泡，避光避热，保质期为12个月，若保存时间过长，会发生降解，可能会影响其性能

产品名称：铜掺杂黑磷晶体

英文名称：Copper doped black phosphorus

CAS号：无

货号：020509

晶体大小：5~10 mm（需要其他尺寸请联系客服）

掺杂比例：0.2%—1.6%

材料性质：半导体材料

禁带宽度：0.3eV

晶体生长方式：CVT 化学气相输运

外观：黑色

储存条件：乙醇浸泡，避光避热，保质期为12个月，若保存时间过长，会发生降解，可能会影响其性能

产品名称：锌掺杂黑磷晶体

英文名称：Zinc doped black phosphorus

CAS号：无

货号：020510

晶体大小：5~10 mm（需要其他尺寸请联系客服）

掺杂比例：0.2%—1.6%

材料性质：半导体材料

禁带宽度：0.3eV

晶体生长方式：CVT 化学气相输运

外观：黑色

储存条件：乙醇浸泡，避光避热，保质期为12个月，若保存时间过长，会发生降解，可能会影响其性能

产品名称：硒掺杂黑磷晶体

英文名称：Selenium dope 硒掺杂黑磷晶体 d black phosphorus

CAS号：无

货号：020511

晶体大小：5~10 mm（需要其他尺寸请联系客服）

掺杂比例：0.2%—1.6%

材料性质：半导体材料

禁带宽度：0.3eV

晶体生长方式：CVT 化学气相输运

外观：黑色

储存条件：乙醇浸泡，避光避热，保质期为12个月，若保存时间过长，会发生降解，可能会影响其性能

参考文献：

Few-layer selenium-doped black phosphorus: synthesis, nonlinear optical properties and ultrafast photonics applications

Journal of Materials Chemistry C, 2017

DOI：10.1039/C7TC01267E

产品名称：碳纳米管掺杂黑磷晶体

英文名称：Black phosphorous carbon nanotubes

CAS号：无

货号：020512

晶体大小：5~10 mm（需要其他尺寸请联系客服）

掺杂比例：0.2%—1.6%

材料性质：半导体材料

禁带宽度：0.3eV

晶体生长方式：CVT 化学气相输运

外观：黑色

储存条件：乙醇浸泡，避光避热，保质期为12个月，若保存时间过长，会发生降解，可能会影响其性能