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  • 市场价:0 80

    产品名称:氮化钒V2N量子点分散液

    英文名称:Vanadium nitride V2N quantum dot dispersion

    CAS号:24646-85-3

    货号:03020303

    包装及规格:10ml/瓶

    粒径:5-10nm

    储存条件:避光避热,建议4℃冰箱内保存1个月,若保存时间过长,可能会发生降解并会影响其性能

    若有其他需要,请下单时备注或联系客服

    1.500ppm/1000ppm/其他,有其他浓度要求

    2.若要求乙醇、NMP、水、IDMF等其他的溶剂

    3.本页面产品默认采用液相剥离法制备,另可提供其他制备方法


  • 市场价:0 6000
  • 市场价:0 300

    产品名称:高纯二硫化钛TiS2粉末

    英文名称:High purity disulfide Titanium TiS2 powder 

    CAS号:12039-13-3

    货号:041402

    售价:300元/g

    包装及规格:1g/瓶

    纯度:99%

    外观:黑色粉末

    储存条件:避光避热,常温干燥,棕色玻璃瓶保存,保质期为12个月,若保存时间过长,可能会发生降解并会影响其性能


  • 市场价:0 700

    产品名称:二氮化三钒V3N2多层粉末

    英文名称:Vanadium dinitride V3N2 multilayer powder

    CAS号:无

    货号:03020401

    售价:1200元/g

    包装及规格:1g/瓶

    纯度:99%

    外观:黑色粉末

    官能团:-OH-F-Cl(可定制)

    储存条件:避光避热,常温干燥,棕色玻璃瓶保存,保质期为12个月,若保存时间过长,可能会发生降解并会影响其性能


  • 市场价:0 6000

    产品名称:二硫化锡SnS2薄膜

    英文名称:Tin disulfide SnS2 film

    CAS号:1315-01-1

    货号:061702

    包装及规格:无尘真空包装,1cm*1cm,1片/盒;可以定制更大的尺寸,若对尺寸有特殊要求,请下单时备注或联系我们

    储存条件:避光避热,保质期为12个月,若保存时间过长,可能会影响其性能

    基底:可提供铜/镍、SiO2/Si/蓝宝石/氮化硅、玻璃/ITO/FTO、PET/云母/PDMS等基底

    备注:本页面价格默认为双抛,蓝宝石/硅/氧化硅/云母如有单面抛光的需求,可联系客服修改价格


  • 市场价:0 2000

    参考文献:

    Broadband Nonlinear Photoresponse of 2D TiS2 for Ultrashort Pulse Generation and All-Optical Thresholding Devices

    Advanced Optical Materials, 2017

    DOI:10.1002/adom.201701166

    二硫化钛TiS2薄膜(CVD法,二氧化硅基底)

  • 市场价:0 40

    产品名称:二氮化三钒V3N2少层纳米片分散液

    英文名称:Vanadium dinitride V3N2 few-layer nanosheet dispersion

    CAS号:无

    货号:03020402

    包装及规格:5ml/瓶

    官能团:-OH-F-Cl(可定制)

    储存条件:避光避热,建议4℃冰箱内保存1个月,若保存时间过长,可能会发生降解并会影响其性能

    若有其他需要,请下单时备注或联系客服

    1.500ppm/1000ppm/其他,有其他浓度要求

    2.若要求乙醇、NMP、水、IDMF等其他的溶剂

    3.本页面产品默认采用液相剥离法制备,另可提供其他制备方法


  • 市场价:0 2500

    产品名称:二硫化钼MoS2块状晶体

    英文名称:Molybdenum disulfide MoS2 crystal

    CAS号:1317-33-5

    货号:041501

    晶体大小:5~10 mm(需要其他尺寸请联系客服)

    材料性质:半导体材料

    禁带宽度:1.7eV

    晶体生长方式:CVT 化学气相输运

    外观:灰黑色

    储存条件:乙醇浸泡,避光避热,保质期为12个月,若保存时间过长,会发生降解,可能会影响其性能

    二硫化钼MoS2块状晶体可选基底较多,其中SiO2/Si基底为直接沉积产品。其他基底例如:硅片,PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金属基底等是通过在SiO2/Si上生长后转移至客户所需基底。


  • 市场价:0 80

    产品名称:二氮化三钒V3N2量子点分散液

    英文名称:Vanadium dinitride V3N2 quantum dot dispersion

    CAS号:无

    货号:03020403

    包装及规格:10ml/瓶

    粒径:5-10nm

    储存条件:避光避热,建议4℃冰箱内保存1个月,若保存时间过长,可能会发生降解并会影响其性能

    若有其他需要,请下单时备注或联系客服

    1.500ppm/1000ppm/其他,有其他浓度要求

    2.若要求乙醇、NMP、水、IDMF等其他的溶剂

    3.本页面产品默认采用液相剥离法制备,另可提供其他制备方法


  • 市场价:0 300

    产品名称:高纯二硫化钼MoS2粉末

    英文名称:High purity disulfide Molybdenum MoS2 powder

    CAS号:1317-33-5

    货号:041502

    售价:300元/g

    包装及规格:1g/瓶

    纯度:99%

    外观:灰黑色粉末

    储存条件:避光避热,常温干燥,棕色玻璃瓶保存,保质期为12个月,若保存时间过长,可能会发生降解并会影响其性能


  • 市场价:0 700

    产品名称:三氮化四钒V4N3多层粉末

    英文名称:Tetravanadium trinitride V4N3 multilayer powder

    CAS号:无

    货号:03020501

    售价:1200元/g

    包装及规格:1g/瓶

    纯度:99%

    外观:黑色粉末

    官能团:-OH-F-Cl(可定制)

    储存条件:避光避热,常温干燥,棕色玻璃瓶保存,保质期为12个月,若保存时间过长,可能会发生降解并会影响其性能


  • 市场价:0 40

    产品名称:三氮化四钒V4N3少层纳米片分散液

    英文名称:Tetravanadium trinitride V4N3 few-layer nanosheet dispersion

    CAS号:无

    货号:03020502

    包装及规格:5ml/瓶

    官能团:-OH-F-Cl(可定制)

    储存条件:避光避热,建议4℃冰箱内保存1个月,若保存时间过长,可能会发生降解并会影响其性能

    若有其他需要,请下单时备注或联系客服

    1.500ppm/1000ppm/其他,有其他浓度要求

    2.若要求乙醇、NMP、水、IDMF等其他的溶剂

    3.本页面产品默认采用液相剥离法制备,另可提供其他制备方法


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