产品名称：高纯硒化锗GeSe粉末

英文名称：High purity germanium selenide  GeSe Powder 

CAS号：12065-10-0 

货号：042502

售价：300元/g

包装及规格：1g/瓶

纯度：99%

外观：黑色粉末

储存条件：避光避热，常温干燥，棕色玻璃瓶保存，保质期为12个月，若保存时间过长，可能会发生降解并会影响其性能

产品名称：硒化锗GeSe纳米片分散液

英文名称：Germanium Selenide GeSe nanosheet dispersion

CAS号：12065-10-0 

货号：042503

包装及规格：50ml/瓶

储存条件：避光避热，建议4℃冰箱内保存1个月，若保存时间过长，可能会发生降解并会影响其性能

若有其他需要，请下单时备注或联系客服

1.500ppm/1000ppm/其他，有其他浓度要求

2.若要求乙醇、NMP、水、IDMF等其他的溶剂

3.本页面产品默认采用液相剥离法制备，另可提供其他制备方法

参考文献：

Ultrathin GeSe Nanosheets: From Systematic Synthesis to Studies of Carrier Dynamics and Applications for a High-Performance UV-Vis Photodetector

Acs Applied Materials & Interfaces, 2019

DOI：10.1021/acsami.8b19836

产品名称：硒化铟InSe块状晶体

英文名称：Indium selenide InSe crystal

CAS号：12056-07-4

货号：042601

晶体大小：5~10 mm（需要其他尺寸请联系客服）

材料性质：半导体材料

禁带宽度：0.5eV

晶体生长方式：CVT 化学气相输运

外观：灰黑色

储存条件：乙醇浸泡，避光避热，保质期为12个月，若保存时间过长，会发生降解，可能会影响其性能

硒化铟InSe块状晶体可选基底较多，其中SiO2/Si基底为直接沉积产品。其他基底例如：硅片，PET，PI，ITO，FTO，玻璃，金属基底等是通过在SiO2/Si上生长后转移至客户所需基底。

产品名称：高纯硒化铟InSe粉末

英文名称：High purity indium selenide InSe Powder

CAS号：12056-07-4

货号：042602

售价：300元/g

包装及规格：1g/瓶

纯度：99%

外观：灰黑色粉末

储存条件：避光避热，常温干燥，棕色玻璃瓶保存，保质期为12个月，若保存时间过长，可能会发生降解并会影响其性能

产品名称：硒化铟InSe纳米片分散液

英文名称：Indium Selenide InSe nanosheet dispersion

CAS号：12056-07-4

货号：042603

包装及规格：50ml/瓶

储存条件：避光避热，建议4℃冰箱内保存1个月，若保存时间过长，可能会发生降解并会影响其性能

若有其他需要，请下单时备注或联系客服

1.500ppm/1000ppm/其他，有其他浓度要求

2.若要求乙醇、NMP、水、IDMF等其他的溶剂

3.本页面产品默认采用液相剥离法制备，另可提供其他制备方法

参考文献：

Au Nanoparticle Modification Induces Charge-Transfer Channels to Enhance the Electrocatalytic Hydrogen Evolution Reaction of InSe Nanosheets

ACS Appl. Mater. Interfaces 2022

DOI :10.1021/acsami.1c21421

产品名称：碲化铋BiTe拓扑绝缘体块状晶体

英文名称：Bismuth telluride BiTe crystal 

CAS号：1304-82-1 

货号：042801

晶体大小：5~10 mm（需要其他尺寸请联系客服）

材料性质：半导体材料

禁带宽度：0.3eV

晶体生长方式：CVT 化学气相输运

外观：黑色

储存条件：乙醇浸泡，避光避热，保质期为12个月，若保存时间过长，会发生降解，可能会影响其性能

晶体可选基底较多，其中SiO2/Si基底为直接沉积产品。其他基底例如：硅片，PET，PI，ITO，FTO，玻璃，金属基底等是通过在SiO2/Si上生长后转移至客户所需基底。

产品名称：高纯硫硒化钽Ta(SSe)2粉末

英文名称：High purity sulfur selenization Tantalum Ta(SSe)2 powder 

CAS号：无

货号：042901

售价：500元/g

包装及规格：1g/瓶

纯度：99%

外观：黑色粉末

储存条件：避光避热，常温干燥，棕色玻璃瓶保存，保质期为12个月，若保存时间过长，可能会发生降解并会影响其性能

产品名称：硫化锗GeS块状晶体

英文名称：Germanium sulfide GeS crystal

CAS号：12025-32-0

货号：043001

晶体大小：5~10 mm（需要其他尺寸请联系客服）

材料性质：半导体材料

禁带宽度：1.2eV

晶体生长方式：CVT 化学气相输运

外观：黑色

储存条件：乙醇浸泡，避光避热，保质期为12个月，若保存时间过长，会发生降解，可能会影响其性能

硫化锗GeS块状晶体可选基底较多，其中SiO2/Si基底为直接沉积产品。其他基底例如：硅片，PET，PI，ITO，FTO，玻璃，金属基底等是通过在SiO2/Si上生长后转移至客户所需基底。

产品名称：高纯硫化锗GeS粉末

英文名称：High purity germanium sulfide GeS Powder 

CAS号：12025-32-0

货号：043002

售价：300元/g

包装及规格：1g/瓶

纯度：99%

外观：黑色粉末

储存条件：避光避热，常温干燥，棕色玻璃瓶保存，保质期为12个月，若保存时间过长，可能会发生降解并会影响其性能